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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
31
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
31
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
3094
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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