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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
30
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
2136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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