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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB vs Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
63
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,650.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
16000
4200
En 3.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR5
Latencia en PassMark, ns
63
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,291.7
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,650.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
16000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC5-16000, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
502
3521
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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