Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB vs Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB

Puntuación global
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Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 14.8
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 63
    En -117% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.6 left arrow 1,650.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    16000 left arrow 4200
    En 3.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR5
  • Latencia en PassMark, ns
    63 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,291.7 left arrow 14.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,650.1 left arrow 13.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    4200 left arrow 16000
Other
  • Descripción
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC5-16000, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    502 left arrow 3521
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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