RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En -4% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2190
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Informar de un error
×
Bug description
Source link