RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
50
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
50
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
1947
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link