RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En 33% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
25.5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
25.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
18.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3903
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link