RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En -4% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2130
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link