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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
32
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2815
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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