RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3128
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link