RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3384
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link