RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En 17% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3490
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link