RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3911
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link