RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link