RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
39
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
39
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2958
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link