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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2426
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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