RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2850
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link