RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2384
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link