RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
24
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
22
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2648
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36JSF1G72PZ-1G6K1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link