RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
24
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
20
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3234
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link