RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
31
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2646
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link