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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2168
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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