RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link