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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3205
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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