RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2976
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link