RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
43
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link