RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
31
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3111
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link