RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2634
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link