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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
32
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2824
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
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