RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link