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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3285
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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