RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
24
En -9% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
22
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2272
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link