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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
32
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2958
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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