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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
54
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
54
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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