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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
19200
En 1.22 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
16.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
23400
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3758
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Mushkin 994083 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
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