RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En 48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
46
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2571
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link