RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
57
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
57
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2328
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link