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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.2
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
2332
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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