RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En 45% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
49
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.2
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
2413
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Mushkin 996902 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link