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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Puntuación global
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1610
2600
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
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