RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
36
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1610
2800
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link