RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1610
3711
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link