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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Puntuación global
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1610
2305
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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