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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1610
2876
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
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