RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.9
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1922
2553
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link