RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
33
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3131
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link