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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
22
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
20
Velocidad de lectura, GB/s
15.1
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3632
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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