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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
36
En 39% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.1
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3009
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
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