RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
61
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
1,670.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,529.3
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.4
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
517
3796
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link