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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
43
En -39% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
31
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
2813
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
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