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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
2654
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
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